ROHM Semiconductor RV8L002SN和RV8C010UN小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RV8L002SN和RV8C010UN小信号MOSFET采用无引线超小型封装，具有裸露漏极焊盘，可实现出色的导热性能。RV8L002SN和RV8C010UN MOSFET还具有非常快的开关速度、2.5V超低电压驱动以及高达2kV的ESD保护。
ROHM RV8L002SN和RV8C010UN MOSFET采用DFN1010-3W封装，符合AEC-Q101标准。
特性
- 无引线超小型裸露漏极焊盘，采用出色的导热SMD塑料封装 (1.0mm x 1.0mm x 0.4mm)
- 侧面可湿性侧翼，用于自动光学焊接检测(AOI)
- 镀锡的100%可焊接侧焊盘确保最小厚度为125μm
- 符合 AEC-Q101
- 高达2 kV (HBM) 的ESD保护
- 非常快的开关速度
- 2.5V超低电压驱动
应用
- 开关电路
- 低侧负载开关
- 继电器驱动器
典型应用电路
相关解决方案
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发布日期: 2020-11-09
| 更新日期: 2024-10-23