ROHM Semiconductor TO-220ACG碳化硅肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor TO-220ACG 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 的反向电压范围为650V至1200V，连续反向电流范围为1.2µA至20.0µA。这些器件采用碳化硅技术，使其能够保持低电容电荷 (QC)，从而降低开关损耗，同时实现高速开关操作。此外，与基于硅的快速恢复二极管（反向恢复时间随着温度的增加而增加）不同，碳化硅器件保持恒定特性，从而实现更佳性能。
ROHM Semiconductor TO-220ACG碳化硅肖特基势垒二极管的最高结温为175°C。
特性
- 短恢复时间
- 降低了对温度的依赖性
- 高速开关
- 反向电压范围 (VR)：650V至1200V
- 连续正向电流范围 (IF)：5A至20A
- 总功耗 (PD)：88W至210W
- 正向浪涌电流 (IFSM)：23A至79A
- 连续反向电流范围 (IR)：1.2µA至20.0µA
- 电容总电荷范围 (QC)：9nC至65nC
- 开关时间 (tc)：12ns至19ns
- 最高结温 (Tj)：175°C
- 储存温度范围 (Tstg)：-55°C至+175°C
- TO-220ACG封装
应用
- PFC升压拓扑
- 二次侧整流
- 数据中心
- PV功率调理器
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发布日期: 2021-10-29
| 更新日期: 2022-03-11