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ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1 瞬态电压抑制器

ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1瞬态电压抑制器是高可靠性TVS二极管。这些电压抑制器具有600W峰值脉冲功率和150°C结温。VSxUA1LBTBR1瞬态电压抑制器采用硅外延平面结构。这些TVS二极管采用小功率模制类型，采用DO-214AA（SMB）封装。这些瞬态电压抑制器非常适用于浪涌保护应用。

特性

  • 硅外延平面单结构
  • 可靠性高
  • 600 W峰值脉冲功率
  • 小型模具型封装

应用

  • 浪涌保护
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物料编号 数据表 工作电压 钳位电压 击穿电压 Ipp - 峰值脉冲电流
VS10VUA1LBTBR1 VS10VUA1LBTBR1 数据表 10 V 17 V 11.1 V 35.3 A
VS11VUA1LBTBR1 VS11VUA1LBTBR1 数据表 11 V 18.2 V 12.2 V 33 A
VS12VUA1LBTBR1 VS12VUA1LBTBR1 数据表 12 V 19.9 V 13.3 V 30.2 A
VS14VUA1LBTBR1 VS14VUA1LBTBR1 数据表 14 V 23.2 V 15.6 V 25.9 A
VS15VUA1LBTBR1 VS15VUA1LBTBR1 数据表 15 V 24.4 V 16.7 V 24.6 A
VS16VUA1LBTBR1 VS16VUA1LBTBR1 数据表 16 V 26 V 17.8 V 23.1 A
VS17VUA1LBTBR1 VS17VUA1LBTBR1 数据表 17 V 27.6 V 18.9 V 21.7 A
VS18VUA1LBTBR1 VS18VUA1LBTBR1 数据表 18 V 29.2 V 20 V 20.5 A
VS20VUA1LBTBR1 VS20VUA1LBTBR1 数据表 20 V 32.4 V 22.2 V 18.5 A
VS22VUA1LBTBR1 VS22VUA1LBTBR1 数据表 22 V 35.5 V 24.4 V 16.9 A
发布日期: 2024-05-24 | 更新日期: 2025-06-17