ROHM Semiconductor 高效率肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor高效率肖特基势垒二极管设计目的是改善低
VF 和低IR之间的平衡关系
。此系列二极管具有沟槽MOS结构、30A的正向浪涌电流、高可靠性和低电容等特性。YQ1MM10Ax高效率肖特基势垒二极管适用于开关电源、续流二极管和反转极性保护等应用。
特性
- 沟槽MOS结构
- 高可靠性
- 小功率模具封装
- 反向电压:100 V
- 平均整流正向电流:1A
- 30 A峰值正向浪涌电流
- 结温:175 °C
- 低电容
发布日期: 2025-06-17
| 更新日期: 2025-07-18