ROHM Semiconductor 高效率肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor高效率肖特基势垒二极管设计目的是改善低VF 和低IR之间的平衡关系此系列二极管具有沟槽MOS结构、30A的正向浪涌电流、高可靠性和低电容等特性。YQ1MM10Ax高效率肖特基势垒二极管适用于开关电源、续流二极管和反转极性保护等应用。

特性

  • 沟槽MOS结构
  • 高可靠性
  • 小功率模具封装
  • 反向电压:100 V
  • 平均整流正向电流:1A
  • 30 A峰值正向浪涌电流
  • 结温:175 °C
  • 低电容

应用

  • 开关电源
  • 续流二极管
  • 反转极性保护
发布日期: 2025-06-17 | 更新日期: 2025-07-18