Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT为40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
GANB1R2-040QBA采用超薄四边形无引线扁平封装 (VQFN)。GANB1R2-040QBA是一款常关断电子模式设备，性能卓越，导通电阻极低。
Nexperia GANB012-040CBA采用晶圆级芯片级封装 (WLCSP)。GANB012-040CBA是一款常关断电子模式设备，性能卓越。
特性
- 增强模式 - 常关断功率开关
- 双向器件
- 超高开关速度能力
- 超低导通电阻
- 符合RoHS指令，无铅，符合REACH标准
- 高效率和大功率密度
- 晶圆级芯片级封装 (WLCSP) 1.2mm x 1.7mm (GANB012-040CBA)
- 超薄四边形无引线扁平封装 (VQFN) 4.0mm x 6.0mm (GANB1R2-040QBA)
应用
- 高侧负载开关
- 智能手机USB端口的OVP保护
- 电源开关电路
- 待机电源系统
GANB012-040CBA引脚分配
GANB1R2-040QBA引脚分配
发布日期: 2025-06-25
| 更新日期: 2025-07-14