ROHM Semiconductor 超快速恢复二极管
ROHM Semiconductor超快速恢复二极管旨在提高开关电源的效率。此系列二极管采用硅外延平面结构，具有低正向电压和低开关损耗。 这些RFNxLBxS非常适合用于一般整流应用。
特性
- 重复峰值反向电压：
- 400V（RFN2LB4S和RFN3LB4S）
- 600V（RFN2LB6S和RFN3LB6S）
- 平均整流正向电流：
- 2A（RFN2LB4S和RFN2LB6S）
- 3A（RFN3LB4S和RFN3LB6S）
- 峰值正向浪涌电流：
- 35A（RFN2LB6S和RFN3LB6S）
- 55A（RFN2LB4S和RFN3LB4S）
- 小功率模具封装
- 低正向电压
- 低开关损耗
- 非常适合用于一般整流
机械图
相关二极管
ROHM Semiconductor RF302LB2S超快恢复二极管
采用DO-214AA封装，提供低正向电压和低开关损耗。
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| RF302LB2STBR1 |  |
小信号开关二极管 RECT 200V 3A SM SUPER FST |
| RFN2LB4STBR1 | |
整流器 RECT 400V 2A SM SUPER FST |
| RFN2LB6STBR1 | |
整流器 RECT 600V 2A SM SUPER FST |
| RFN3LB4STBR1 | |
整流器 RECT 400V 3A SM SUPER FST |
| RFN3LB6STBR1 | |
整流器 RECT 600V 3A SM SUPER FST |
发布日期: 2025-06-12
| 更新日期: 2025-07-14