Semtech TDS5311P SurgeSwitch™单线53V EOS保护IC

Semtech TDS5311P SurgeSwitch™单线53V EOS保护IC旨在提供高能量EOS保护，与标准TVS设备相比，具有更优异的温度和钳位特性。该设备使用具有浪涌额定值的FET作为主要保护元件。在EOS事件期间，设备的瞬态电压超过其额定击穿电压。FET随即导通，并将瞬态电流导入地线。由于FET的导通电阻极低，TDS钳位电压在额定峰值脉冲电流范围内几乎保持恒定。与标准TVS二极管相比，该IC在最大峰值脉冲电流下具有更低的钳位电压，因此更适合保护当今的敏感IC。TDS5311P旨在保护工作电压高达53V的电压总线或数据线。其额定高能量瞬态电流高达24A (tp = 8/20μs)，可用于满足IEC 61000-4-5标准（R_S=42Ω，C_S=0.5μF）中规定的±1kV工业电压浪涌标准。Semtech TDS5311P采用小型2.0mm x 2.0mm、6引脚DFN封装，与传统的SMAJ和SMBJ封装设备相比，可显著节省电路板空间。