Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P通道TrenchFET®第三代MOSFET
Vishay/Siliconix SiA433EDJ 20V P通道TrenchFET®第三代MOSFET具有低导通电阻。SiA433EDJ MOSFET的工作温度范围是-55ºC至150ºC。该功率MOSFET可采用单配置PowerPAK® SC-70封装尺寸。SiA433EDJ MOSFET提供可满足各种应用的导通电阻等级。特性包括采用齐纳二极管的内置ESD保护。应用包括各类便携式器件，如负载开关、电池开关和充电器开关。
特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- 新型散热增强型PowerPAK® SC-70封装
- 占位小
- 低导通电阻
- 100%经Rg测试
- 采用齐纳二极管的内置ESD保护
- 1800V典型ESD性能
- 符合2002/95/EC (RoHS) 指令要求
应用
- 便携式设备：
- 负载开关
- 电池开关
- 充电器开关
SiA433EDJ规格
SiA433EDJ电路图
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发布日期: 2017-07-17
| 更新日期: 2022-06-30