特性
- 符合AEC-Q101标准
- 快速体二极管MOSFET,采用汽车级E系列技术
- 最大漏极-源极电压 (VDS):700V(TJ时)
- 漏极-源极电压 (VDS):650V(25°C时)
- 栅极-源极电压 (VGS):±30V
- 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)):0.045Ω
- 栅极电荷 (Qg):229nC
- 低品质因数 (FOM) (RDS(on)) x Qg
- 缩短了反向恢复时间 (trr):204ns
- 反向恢复电荷 (Qrr):1.9μC
- 反向恢复电流 (IRRM):18A
- 低输入电容 (Ciss):7379pF
- 反向恢复电荷降低,因此开关损耗低
- 最大功耗 (PD):625W
- 额定雪崩能量 (UIS)
- 工作结温和储存温度范围(TJ、Tstg):-55°C至+175°C
- 3引脚TO-247AD封装
- 无卤、无铅,符合RoHS指令
应用
- 车载充电器
- 汽车级直流/直流转换器
电子书
内部电路和典型输出
切换时间测试电路
栅极电荷测试电路
封装外形
信息图
其他资源
发布日期: 2021-03-29
| 更新日期: 2022-06-07
