STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN晶体管是一款高性能增强模式（常关型）GaN设备，旨在为要求苛刻的功率转换应用提供极快的开关速度、低导通损耗和大功率密度。这些晶体管利用氮化镓的宽禁带优势，实现了极低的电容、最小栅极电荷和零反向恢复电荷，从而实现了比传统硅功率开关更优异的效率。
STMicroelectronics SGT晶体管将先进的G‑HEMT结构与强大的封装技术相结合，以支持大电流能力和超快开关行为，从而提高热性能并实现紧凑的系统设计。主要特性包括用于优化栅极的开尔文源极焊盘、 大功率管理能力以及强大的ESD鲁棒性，因此，这些晶体管非常适合用于AC‐DC和DC‐DC转换器、太阳能逆变器、 工业电源和其他高频、高效系统。总体而言，ST的E‑Mode PowerGaN产品组合为设计人员 提供了一个强大的平台，用于构建具有更高效率、更小尺寸和更强性能的下一代功率电子设备。
特性
- 表面贴装增强模式常闭晶体管
- 非常高的开关速度
- 大功率管理能力
- 极低电容
- 零反向恢复电荷
- 单通道配置
- 用于最佳栅极驱动的开尔文源焊盘（选择封装样式）
- ESD保护
- 符合RoHS标准
应用
- 交流/直流转换器
- DC-DC转换器
- 太阳能逆变器
- 平板电脑、笔记本电脑和功能一体机适配器
- USB Type-C® PD适配器和快速充电器
规范
- 1.8V或2.5V栅极源阈值电压选项
- 650V或700V漏极/源极击穿电压选项
- 6A至29A漏极连续电流范围
- 65mΩ至350mΩ漏极/源极电阻范围
- 47W至305W耗散功率范围
- 1.5nC至8.5nC栅极电荷范围
- 上升时间范围：3.5 ns至9 ns
- 下降时间范围：4 ns至9 ns
- 1.2ns至7ns典型关闭延迟时间范围
- 0.9ns至10ns典型接通延迟时间范围
- 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
- DPAK-3、PowerFLAT-4、PowerFLAT-8和TO-LL-11封装选项
精选晶体管
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
电子模式PowerGaN晶体管针对高要求应用中的高效电源转换进行了优化。
STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN晶体管
650V、25A晶体管与成熟的封装技术相结合。
完成您的设计
STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
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| 物料编号 | 数据表 | Id-连续漏极电流 | Pd-功率耗散 | Qg-栅极电荷 | Rds On-漏源导通电阻 |
|---|---|---|---|---|---|
| SGT070R70HTO |  |
26 A | 231 W | 8.5 nC | 70 mOhms |
| SGT350R70GTK | |
6 A | 47 W | 1.5 nC | 350 mOhms |
| SGT080R70ILB | |
29 A | 188 W | 6.2 nC | 80 mOhms |
| SGT65R65AL | |
25 A | 305 W | 5.4 nC | 65 mOhms |
| SGT105R70ILB | |
21.7 A | 158 W | 4.8 nC | 105 mOhms |
| SGT140R70ILB | |
17 A | 113 W | 3.5 nC | 140 mOhms |
| SGT190R70ILB | |
11.5 A | 83 W | 2.8 nC | 190 mOhms |
| SGT240R70ILB | |
10 A | 76 W | 2 nC | 240 mOhms |
发布日期: 2026-02-18
| 更新日期: 2026-02-19