TDK-Lambda i1R ORing MOSFET模块
TDK-Lambda i1R ORing MOSFET模块是高效低损耗的功率设备，旨在取代传统的二极管。 这些MOSFET模块采用先进的基于MOSFET的电路设计，可将反向电流瞬态与导通损耗降至最低，效率最高可达 99.5%。 i1R ORing MOSFET模块解决了热管理和功率密度方面的关键挑战，尤其是在大电流系统中。这些MOSFET模块提供紧凑的屏蔽外观尺寸，支持高达80A的输出电流，降额极小，可在空间受限的环境中实现可靠的性能。i1R MOSFET模块具有宽输入电压范围、故障状态下的快速关断功能，以及行业标准封装等特点。典型应用包括机器人、广播、电池供电设备、工业和通信。
特性
- 集成式基于MOSFET的ORing模块：简化设计，无需外部组件或偏置
- 500ns（典型值）快速关断响应：在故障情况下阻断反向电流瞬态，从而提供更好的保护
- 低导通电阻、高效率：降低功率损耗与发热，简化热设计
- 紧凑型1in x 1in金属屏蔽封装：节省电路板空间，并有利于高效散热
- 宽输入电压范围：适用于多种电源系统
- 支持高达80A的输出：在大电流和空间受限的设计中均可靠
应用
- 机器人技术
- 广播电视
- 测试与测量
- 工业和ICT
- 通信
- 电池供电设备
规范
- 输入电压范围：
- 5VDC至60VDC (i1R60060A)
- 3.3VDC至30VDC (i1R30080A)
- 最大输出电流：
- 60A (i1R60060A)
- 80A (i1R30080A)
- 安全认证和标志：CE标志和UKCA标志
- 工作温度 (Tc) 范围：-40°C至120°C
- 存放温度范围：-55°C至125°C
- 对流、传导（通过底板）或强制风冷散热
- 典型重量：20g
典型应用电路
性能图
方框图
尺寸
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发布日期: 2026-02-02
| 更新日期: 2026-02-05