Texas Instruments LMG2656 650V GaN功率FET半桥

Texas Instruments LMG2656 650V GaN功率FET半桥将半桥功率FET、栅极驱动器、自举FET和高侧栅极驱动器电平移位器集成在6mm x 8mm QFN封装中，简化了设计、减少了元器件数量，并减少了电路板空间。可编程导通斜率提供了EMI和振铃控制。与传统的电流感应电阻相比，低侧电流感应仿真减少了耗散功率，并允许将低侧导热片连接到PCB电源的接地。