Texas Instruments TPSI2240-Q1加强型固态继电器

Texas Instruments TPSI2240-Q1加强型固态继电器专为高压汽车和工业应用而开发。TPSI2240-Q1利用高可靠性电容式增强隔离技术，结合内部背靠背MOSFET，形成一体化解决方案，无需次级侧电源。

TPSI2240-Q1的初级侧仅消耗5mA的输入电流，并具有故障安全EN引脚，可防止向V_DD电源反向供电。V_DD引脚应连接到4.5V至20V之间的系统电源，EN引脚在大多数应用中应由2.1V至20V之间的逻辑高电平GPIO输出驱动。在其他应用中，V_DD和EN引脚可直接由系统电源或GPIO输出同时驱动。TPSI2240-Q1的所有控制配置均无需外加电阻器和/或低侧开关等通常必需的外部组件。

次级侧由背靠背MOSFET构成，S1与S2之间的关断耐压为±1.2kV。TI TPSI2240-Q1 MOSFET具备雪崩耐受能力，并采用注重热管理的封装设计；在无需任何外部组件的情况下，能够可靠支持系统级介电耐压测试 (HiPot)，并且DC快充浪涌电流最高达1mA（TPSI2240C-Q1为0.6mA，TPSI2240T-Q1为3mA）。

TI TPSI2240-Q1符合汽车应用类AEC-Q100标准。

特性

符合汽车应用标准
- AEC-Q100等级1：-40°C至+125°C T_A
低EMI：
- 无需任何额外组件即可满足CISPR25级别5性能标准
集成雪崩额定MOSFET
- 针对介电耐压测试 (Hi-Pot) 进行可靠性设计并完成认证
  - TPSI2240-Q1 I_AVA=1mA（60s脉冲）
  - TPSI2240C-Q1 I_AVA=0.6mA（60s脉冲）
  - TPSI2240T-Q1 I_AVA=3mA（60s脉冲）
- 关断耐压：1200V
- R_on = 130Q (T_j = 25°C)
- T_ON、T_OFF <>
- 1000V (T_j=105°C) 时，I_OFF=1.22A
低初级侧供电电流
- 关断态电流：3.5pA (T_j=25°C)

确保功能安全
- 可帮助进行ISO 26262和IEC 61508系统设计的文档
稳健可靠的隔离栅：
- 在1500V_RMS/2120Vpc工作电压下，预计使用寿命>30年
- 增强型隔离等级Viso，高达4750V_RMS
采用具有宽引脚的SOIC 11引脚 (DWQ) 封装，可提升散热性能
- 爬电距离和间隙 > 8mm（初级侧至次级侧）
- 爬电距离和间隙 > 6mm（跨开关端子）
安全相关认证
- （计划中）DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- （计划中）UL 1577元器件认可计划