Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，设计用于驱动EV/HEV应用中的大功率SiC MOSFET和IGBT。功率晶体管保护，如基于分流电阻器的过流、基于NTC的过热和DESAT检测，包括在这些故障期间可选择的软关断或两级关断。–为了进一步减小应用尺寸，Texas Instruments UCC5871-Q1在开关期间集成了4A有源米勒钳位，在驱动器断电时集成了有源栅极下拉。集成的10位ADC支持监控多达六个模拟输入和栅极驱动器温度，从而增强系统管理。集成诊断和检测功能，简化系统设计。这些特性的参数和阈值可通过SPI接口进行配置，因此该器件几乎可以与任何SiC MOSFET或IGBT搭配使用。