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Toshiba CSLZ齐纳二极管

Toshiba CSLZ齐纳二极管采用小型SL2封装。该二极管的PD1功耗为150mW， PD2功耗为400mW。该Toshiba器件具有150°C的结温 (TJ) 和-55至+150°C的存储温度 (TSTG)。

特性

  • 功率耗散
    • PD1：150mW
    • PD2：400mW
  • 结温TJ ：150°C
  • 储存温度范围TSTG ：-55至+150°C
  • 应用：电压浪涌保护
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物料编号 数据表 Vz - 齐纳电压 Zz - 齐纳阻抗 测试电流 Ir - 最大反向漏电流
CSLZ24V,L3F CSLZ24V,L3F 数据表 24 V 70 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ12V,L3F CSLZ12V,L3F 数据表 12 V 30 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ5V6,L3F CSLZ5V6,L3F 数据表 5.6 V 30 Ohms 5 mA 1 uA
CSLZ10V,L3F CSLZ10V,L3F 数据表 10 V 30 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ20V,L3F CSLZ20V,L3F 数据表 20 V 50 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ30V,L3F CSLZ30V,L3F 数据表 30 V 150 Ohms 2 mA 500 nA
CSLZ8V2,L3F CSLZ8V2,L3F 数据表 8.2 V 30 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ16V,L3F CSLZ16V,L3F 数据表 16 V 35 Ohms 5 mA 500 nA
CSLZ6V2,L3F CSLZ6V2,L3F 数据表 6.2 V 30 Ohms 5 mA 2.5 uA
CSLZ6V8,L3F CSLZ6V8,L3F 数据表 6.8 V 30 Ohms 5 mA 500 nA
发布日期: 2022-11-08 | 更新日期: 2024-07-25