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Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET

Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。这些MOSFET具有小栅极电荷、小输出电荷、低漏源导通电阻和低漏电流。UMOS9-H N沟道MOSFET具有80V漏源电压、 ±20V栅极-源极电压以及175°C通道温度。这些MOSFET还具有 ±0.1µA栅极漏电流、10µA漏极截止电流以及 -55°C至175°C存储温度范围。UMOS9-H N沟道MOSFET符合RoHS指令，采用0.108g 2-5W1A（SOP高级（N））封装。

特性

  • 高速切换
  • 栅极电荷小
  • 输出电荷小
  • 低漏极-源极导通电阻
  • 漏电流低

规范

  • 80 V漏源电压
  • ±20 V栅极-源极电压
  • 175 °C通道温度
  • 栅极漏电流：±0.1 µA
  • 漏极截止电流：10µA
  • 储存温度范围：-55°C至175°C

应用

  • 高效直流-直流转换器
  • 开关稳压器
  • 电机驱动器

内部电路

Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET

封装尺寸

机械图纸 - Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET

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物料编号 制造商名称 数据表 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Pd-功率耗散 上升时间 典型关闭延迟时间 典型接通延迟时间 Qg-栅极电荷 下降时间
TPH8R808QM,LQ Toshiba TPH8R808QM,LQ 数据表 60 V, 80 V 79 A 8.8 mOhms 109 W 10 ns 33 ns 24 ns 26 nC 8 ns
XPH1R104PS,L1XHQ Toshiba XPH1R104PS,L1XHQ 数据表 40 V 120 A 1.96 mOhms 132 W 8 ns 71 ns 22 ns 55 nC 23 ns
XPHR7904PS,L1XHQ Toshiba XPHR7904PS,L1XHQ 数据表 40 V 150 A 1.3 mOhms 170 W 10 ns 15 ns 23 ns 85 nC 35 ns
TPH6R008QM,LQ Toshiba TPH6R008QM,LQ 数据表 60 V, 80 V 107 A 6 mOhms 135 W 11 ns 47 ns 26 ns 38 nC 11 ns
TPH1R204PB,L1Q Toshiba TPH1R204PB,L1Q 数据表 40 V 240 A 1.2 mOhms 132 W 9 ns 61 ns 22 ns 62 nC 17 ns
TPH3R008QM,LQ Toshiba TPH3R008QM,LQ 数据表 80 V 170 A 3 mOhms 180 W 21 ns 85 ns 42 ns 71 nC 26 ns
发布日期: 2024-04-29 | 更新日期: 2024-09-03