Vishay BZX884L小信号齐纳二极管

Vishay Semiconductors BZX884L小信号齐纳二极管是一种硅平面齐纳二极管,可提供低漏电流和低噪声。这些齐纳二极管具有出色的稳定性,额定可耐受浪涌。该款器件的VZ 范围为4.7V至47V,耗散功率为300mW(总功率)。 Vishay Semiconductors BZX884L采用无引线超小型DFN1003-2A封装,具有可见和侧壁电镀/可湿板。这些Vishay Semiconductors BZX884L器件可通过AEC-Q101认证(BZX884Bxxx-HG3-08),存储温度范围(Tstg)和工作温度范围(Top)为-55至+150°C。

特性

  • 硅平面齐纳二极管
  • 低漏电流、低噪声
  • 优异的稳定性
  • 额定浪涌电流
  • ±2%齐纳电压容差
  • 无引线超小型DFN1006-2A封装(1mm×0.6mm×0.45mm)
  • 耗散功率优于SOT-23
  • 表面安装器件(SMD)塑料封装,可见侧壁电镀/可湿侧边
  • 采用标准目视检测方法即可核查焊接处。
  • 无需X射线检查即可满足汽车AOI要求
  • 符合AEC-Q101标准

封装尺寸

Vishay BZX884L小信号齐纳二极管
发布日期: 2021-05-25 | 更新日期: 2023-04-05