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Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET

Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET具有1200V漏极-源极电压、快速切换速度和3μs短路耐受时间。此系列MOSFET还具有56W至268W的最大功率耗散 (Tc=25°C) 和10.5A至52A的漏极连续电流 (Tc=25°C)。MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET无卤素，采用TO-247 3L、TO-247 4L和TO-263 7L封装。此系列MOSFET用于充电器、辅助电机驱动器和直流-直流转换器。

特性

  • 开关速度快
  • 3μs短路耐受时间
  • 漏极-源极电压：1200 V
  • 最大功率耗散：56W至268W (Tc=25°C)
  • 漏极连续电流：10.5A至52W (Tc=25°C)
  • 工作结温范围：-55 °C至150 °C
  • 无铅、无卤
  • 可提供TO-247 3L、TO-247 4L或TO-263 7L封装
  • 符合RoHS标准

应用

  • 充电器
  • DC-DC转换器
  • 辅助电机驱动器

视频

引脚示意图

应用电路图 - Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET
发布日期: 2024-08-12 | 更新日期: 2026-02-13