Vishay N沟道60V和100V (D-S) MOSFET PowerPAK
Vishay N沟道60V和100V (D-S) MOSFET 采用TrenchFET®® Gen IV技术，导通电阻低，热阻极低。该系列器件还具有非常低的栅极电荷和输出电荷，可降低功耗 并提高效率。 紧凑的6.15 mm x 5.13 mm PowerPAK® SO-8封装为传统TO-220和TO-263解决方案提供节省空间的替代方案。
特性
- TrenchFET®第4代功率MOSFET
- 极低的栅极电荷 (Qg) 和输出电荷 (Qoss)，可降低功耗，提高效率
- 柔性引线具有抗机械应力能力
- 经100% Rg和UIS测试
- Qgd/Qgs比<1优化开关特性
- 符合RoHS指令，不含卤素
应用
- 同步整流
- 高功率密度直流-直流
- 直流-交流转换器
- 微型太阳能逆变器
- 升压转换器
- LED背光
信息图
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Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
发布日期: 2020-03-19
| 更新日期: 2024-12-17