Vishay / Siliconix SiA469DJ 30V P通道TrenchFET®第三代MOSFET
Vishay/Siliconix SiA469DJ 30V P通道TrenchFET®第三代MOSFET具有低导通电阻。SiA469DJ MOSFET的工作温度范围是-55ºC至150ºC。该功率MOSFET可采用单配置PowerPAK® SC-7封装尺寸。SiA469DJ MOSFET符合RoHS指令，是无卤器件。应用包括负载开关、直流/直流转换器、高速开关，以及电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理。
特性
- TrenchFET®第三代p通道功率MOSFET
- 散热增强型PowerPAK® SC-70封装
- 100%经Rg测试
应用
- 负载开关
- 直流/直流转换器
- 高速开关
- 电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理
SiA469DJ产品摘要
SiA469DJ电路图
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Vishay / Siliconix TrenchFET第三代P通道功率MOSFET
具有低导通电阻和低电压降，可提高效率并延长电池使用时间。
发布日期: 2017-01-20
| 更新日期: 2022-06-30