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Vishay SiC658A 50A VRPower®集成功率级

Vishay SiC658A 50A VRPower®集成功率级具备高效率和出色的散热性能，非常适合大电流应用。Vishay SiC658A凭借先进的MOSFET技术，可确保最佳电源转换并降低开关损耗，从而提高服务器和计算系统的可靠性。该模块采用热增强型PowerPAK® MLP55-31L封装，支持高达50A持续电流，工作频率高达1.5MHz。

特性

  • 沟槽场效应晶体管技术
  • 低侧MOSFET，集成肖特基二极管
  • 零电流检测控制功能，可提高轻负载效率
  • 低PWM传播延迟
  • 热监控和故障标志
  • 欠压闭锁保护
  • 过流保护
  • 高侧FET短路保护
  • 过热保护

应用

  • 多相降压装置（VRD）
    • CPU
    • GPU
    • 存储器

规范

  • 工作频率高达1.5MHz
  • 3.3V PWM逻辑，具有三态和支持
  • 增强型PowerPAK MLP55-31L封装
  • 连续额定电流：50A
  • 80A峰值电流和100A峰值电流额定值
  • 输入电压范围：4.5V至24V
  • 工作温度范围：-40°C至+125°C

引脚配置

信息图 - Vishay SiC658A 50A VRPower®集成功率级

典型应用图

应用电路图 - Vishay SiC658A 50A VRPower®集成功率级
发布日期: 2025-05-06 | 更新日期: 2025-06-02