Vishay / Siliconix SiHS90N65E功率MOSFET
Vishay/Siliconix SiHS90N65E功率MOSFET具有低品质因数、低输入电容和超低栅极电荷。SiHS90N65E功率MOSFET具有700V漏源电压,优化用于降低开关和导通损耗。Vishay/Siliconix SiHS90N65E功率MOSFET适合用于服务器和电信电源、照明和工业应用。
特性
- 低品质因数 (FOM) Ron x Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 较低的开关和导通损耗
应用
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 工业
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动器
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能(光伏逆变器)
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Offers a 30% reduction in specific On-resistance versus the Vishay S Series Power MOSFETs.
发布日期: 2021-02-05
| 更新日期: 2022-03-11