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Vishay / Siliconix SIHx5N80AE功率MOSFET

Vishay/Siliconix SIHx5N80AE功率MOSFET具有低品质因数、低有效电容以及低开关和导通损耗。Vishay/Siliconix SIHx5N80AE功率MOSFET具有850V漏源电压，非常适合用于服务器和电信电源。此外，SIHx5N80AE MOSFET采用超低栅极电荷和集成齐纳二极管ESD保护。

特性

  • 低品质因数 (FOM) Ron x Qg
  • 低有效电容 (Ciss)
  • 较低的开关和导通损耗
  • 超低栅极电荷 (Qg)
  • 雪崩能量等级 (UIS)
  • 集成齐纳二极管ESD保护

应用

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 功率因数校正电源 (PFC)
  • 照明
    • 高强度放电 (HID)
    • 荧光灯镇流器照明
  • 工业
    • 焊接
    • 感应加热
    • 电机驱动器
    • 电池充电器
    • 可再生能源

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包装类型

信息图 - Vishay / Siliconix SIHx5N80AE功率MOSFET
发布日期: 2021-02-05 | 更新日期: 2022-03-11