Vishay / Siliconix SQS660CENW汽车用N沟道60V MOSFET
Vishay/Siliconix SQS660CENW汽车用N沟道60V MOSFET是符合AEC-Q101标准的TrenchFET®功率MOSFET。SQS660CENW具有18A ID和60V VDS。该单一配置器件采用PowerPAK® 1212-8W封装，工作结温和储存温度范围为-55°C至+175°C。
特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- 符合 AEC-Q101 标准
- 经100% Rg和UIS测试
封装类型
发布日期: 2021-04-12
| 更新日期: 2022-03-11