Vishay / Siliconix SiZ340BDT双N沟道30V MOSFET
Vishay/Siliconix SiZ340BDT双N沟道30V MOSFET采用双配置设计，具有TrenchFET ® Gen IV功率。该模块 具有30VDS漏极-源极电压，150A脉冲漏极电流以及-55°C至+150°C温服范围。Vishay/Siliconix SiZ340BDT双N沟道30V MOSFET不含卤素，符合RoHS指令。典型应用包括CPU内核电源、同步降压转换器、电信直流/直流和计算机。
特性
- TrenchFET Gen IV功率MOSFET
- 经100% Rg和UIS测试
- PowerPAIR®集成半桥MOSFET功率极
- 经过优化的Qgd/Qgs比提高了开关特性
- 符合RoHS指令
- 无卤
应用
- CPU内核功率
- 计算机/服务器外设
- 负载点 (PoL)
- 同步降压转换器
- 电信直流/直流
尺寸
相关MOSFET
Vishay / Siliconix Power MOSFETs
Low-to-high power MOSFETs that meet the increasing demands of applications in growth markets.
发布日期: 2020-11-19
| 更新日期: 2024-12-17