Vishay / Siliconix SQJ车用MOSFET

Vishay/Siliconix SQJ车用MOSFET是TrenchFET® Gen IV N沟道40VDS功率MOSFET。这些MOSFET符合AEC-Q101标准,并且通过了Rg和无钳位电感开关 (UIS) 测试,Qgd/Qgs比小于1,可优化开关特性。SQJ车用MOSFET具有非常低的RDS(on),工作温度范围为-55°C至175°C。这些车规级MOSFET采用PowerPAK® SO-8L封装(单/双配置)。典型应用包括汽车、发动机管理、电机驱动器和执行器,以及电池管理。

特性

  • TrenchFET® Gen IV功率MOSFET
  • 符合AEC-Q101标准
  • 通过了Rg和UIS测试
  • Qgd/Qgs比 <1,可优化开关特性
  • 工作结温范围和储存温度范围:-55°C至+175°C
  • 采用PowerPAK® SO-8L封装(单/双配置)

应用

  • 汽车
  • 电池管理
  • 发动机管理
  • 电机驱动器和执行器
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物料编号 数据表 描述 封装 / 箱体
SQJ128ELP-T1_GE3 SQJ128ELP-T1_GE3 数据表 MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ116EP-T1_GE3 SQJ116EP-T1_GE3 数据表 MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L
SQJ147ELP-T1_GE3 SQJ147ELP-T1_GE3 数据表 MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8
SQJ570EP-T1_GE3 SQJ570EP-T1_GE3 数据表 MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified PowerPAK-SO-8-4
SQJ960EP-T1_GE3 SQJ960EP-T1_GE3 数据表 MOSFET 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified PowerPAK-SO-8-4
SQJ886EP-T1_GE3 SQJ886EP-T1_GE3 数据表 MOSFET 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified PowerPAK-SO-8-4
SQJ170ELP-T1_GE3 SQJ170ELP-T1_GE3 数据表 MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L
SQJ110EP-T1_GE3 SQJ110EP-T1_GE3 数据表 MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET SO-8
SQJ140EP-T1_GE3 SQJ140EP-T1_GE3 数据表 MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK-SO-8
SQJ158EP-T1_GE3 SQJ158EP-T1_GE3 数据表 MOSFET N-Channel 60V PowerPAK SO-8L PowerPAK-SO-8-4
发布日期: 2020-10-05 | 更新日期: 2024-12-13