Vishay Semiconductors SE45124/SE50124 SMD高压整流器
Vishay Semiconductors SE45124/SE50124表面贴装 (SMD) 高压整流器具有出色的散热性能和高浪涌电流能力。这些设备的峰值反向电压 (VRRM) 为1200V，额定平均正向电流 (IF(AV)) 为45A (SE45124) 或50A (SE50124)。Vishay Semiconductors SE45124/SE50124 SMD高压整流器用作EV/HEV大功率电机的飞轮二极管、单相或三相桥式整流电路以及高压阻断二极管。
特性
- 出色的散热性能
- 氧化物平面芯片结
- 大浪涌电流能力
- 超低正向导通
- 高结温能力
- 高ESD能力
- 高雪崩耐量
- 符合J-STD-020标准MSL 1级，LF最高峰值温度为+245°C
- 符合 AEC-Q101
应用
- EV/HEV大功率电机用续流二极管
- 单相或三相桥式整流电路
- 高压阻断二极管
规范
- 平均正向电流 [IF(AV)] 为45A (SE45124) 或50A (SE50124)
- 峰值反向电压 (VRRM)：1200V
- 最大峰值正向浪涌电流 (IFSM)：700A
- 反向电流 (IR)：10μA（VR = 800V，TJ = +125°C时）
- 正向电压 (VF)
- SE45124 - 1.05V（典型值）（IF = 45A，TA = +125°C时）
- SE50124 - 1.08V（典型值）（IF = 50A，TA = +125°C时）
- 最高Tj：+175°C
- DO-218AB 封装
- 单电路配置
- 模塑化合物符合UL 94V-0可燃性等级
- 基础料号Base P/N-M3无卤素，符合RoHS标准，商业级
- 底座P/NHM3不含卤素，符合RoHS指令，并符合AEC-Q101标准。
- 端子为哑光锡镀铅，可根据J-STD-002和JESD22-B102进行焊接
- M3和HM3后缀设备通过JESD 201 2类晶须测试
- 极性已标记
电路图
外形尺寸
发布日期: 2026-02-11
| 更新日期: 2026-02-17