Winbond W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4
Winbond W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4采用单裸片封装 (SDP) 或双裸片封装 (DDP) 和基于命令/地址总线的2时钟或4时钟架构。LPDDR4采用基于CA总线的2或4时钟架构，以减少系统中输入引脚的数量。6位CA总线包含命令、地址和Bank信息。每个命令占1个、2个或4个时钟周期，在这些时钟周期内，命令信息在时钟的正向沿传输。
单裸片封装 (SDP) 采用16Mb x 16DQ x 8 Bank x 1通道，密度为2Gb (2,147,483,648位)。双裸片封装 (DDP) 采用16Mb x 16DQ x 8 Bank x 2通道，密度为4Gb（4,294,967,296位）。
特性
- VDD1 = 1.7V至1.95V
- VDD2/VDDQ = 1.06V至1.17V
- 数据宽度：x16/x32
- 时钟速率高达2133MHz
- 数据速率高达4267Mbps
- 8个内部Bank用于并行操作
- 16n预取操作
- LVSTL_11接口
- 突发长度16、32，动态 (on-the-fly) 16或32
- 顺序突发类型
- 可编程驱动器强度
- 双时钟沿编码命令输入
- 基于CA总线的单数据速率架构
- 基于DQ引脚的双数据速率架构
- 差分时钟输入
- 双向差分数据选通
- 输入时钟停止和频率变化
- 片上端接 (ODT)
- 支持写平衡
- 可编程读和写延迟 (RL/WL)
- 支持CA训练
- DQ-DQS训练
- 刷新特性：
- 自动刷新（每个Bank/所有Bank）
- 部分阵列自刷新
- 自动温度补偿自刷新
- 封装后修复
- 目标行刷新模式
- 频率设置点，用于快速频率开关
- 支持写掩码和数据总线反转 (DBI)
- 支持边界扫描，用于连接测试
- WFBGA 200焊球 (10mm x 14.5mm2) 封装
- 工作温度范围：-40°C ≤ TCASE ≤ 105°C
焊球分配
框图
发布日期: 2022-03-03
| 更新日期: 2026-01-15