onsemi NTMFS6H824N N沟道功率MOSFET
安森美半导体NTMFS6H824N N沟道功率MOSFET是一款紧凑型高效设计的工业功率MOSFET,具有较高的散热性能。这种MOSFET具有低R
DS(on) 特性,可最大限度地减少传导损耗,同时还具有低Q
G 和电容特性,可最大限度地减少驱动器损耗。NTMFS6H824N单N-通道功率MOSFET是一款符合 RoHS 标准的无铅设备,采用5mm x 6mm的扁平引线封装 。典型应用包括直流/直流转换器、负载开关、电机控制、电池组和储能系统 (ESS)。
特性
- 80V漏极至源极电压(VDSS)
- 107A连续漏极电流(ID 最大值)
- 低RDS(on),将传导损耗降至最低
- 低QG 和电容,最大限度地减少驱动器损耗
- 占位面积小 (5mm x 6mm),设计紧凑
- 无铅,符合RoHS指令
相关应用
探索工厂自动化的动态发展及其在现代工业中的关键作用。
发布日期: 2022-02-23
| 更新日期: 2025-03-04