STMicroelectronics 意法半导体 S 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT
意法半导体 S 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是一款高速 IGBT，采用了先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构。这些 S 系列 1200V IGBT 经过专门设计，最大限度提高了低频工业系统效率。正 VCE(sat) 温度系数和紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。
特性
- 10μs of short-circuit withstand time
- VCE(sat)
- 1.55V (typ.) @ IC = 15A (STGW15S120DF3, STGWA15S120DF3)
- 1.6V (typ.) @ IC = 25A (STGW25S120DF3, STGWA25S120DF3)
- 1.65V (typ.) @ IC = 40A (STGW40S120DF3, STGWA40S120DF3)
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and fast recovery antiparallel diode
应用
- Industrial drives
- Uninterruptible power supplies
- Solar
- Welding
发布日期: 2015-05-12
| 更新日期: 2022-08-11