Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级
Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，相较硅MOSFET具有更大优势。这些包括超低输入和输出电容。特性包括零反向恢复，开关损耗降低高达80%，开关节点振铃低，从而降低EMI。
LMG3410R070 GaN功率级提供新的方式让电子系统实现更高水平的功率密度和效率，能够支持图腾柱PFC等高密度、高效的拓扑结构。其拥有的一系列独特特性可简化设计，最大限度地提高可靠性和优化任何电源的性能，是取代传统共源共栅GaN和独立GaN FET的明智之选。这些独特的特性包括一个集成的栅极驱动（支持100V/ns开关，Vds振铃几乎为零）、一个100ns限流装置（拥有自我保护功能，可防止意外击穿事件），以及系统接口信号（具有自我监测能力）。
特性
- TI GaN工艺通过了应用中的硬开关任务可靠性加速测试
- 支持高密度电源转换设计
- 通过共源共栅或独立GaN FET提供出色的系统性能
- 低电感8mmx8mm QFN封装，易于设计和布局
- 可调驱动强度，用于开关性能和EMI控制
- 数字故障状态输出信号
- 只需要+12V非稳压电源
- 集成式栅极驱动器
- 零公共源电感
- mHz运行传播延迟为20ns
- 可通过工艺调整栅极偏置电压，提高了可靠性
- 用户可调转换率：25V/ns至100V/ns
- 强大的保护功能
- 无需外部保护元件
- 过流保护
- 转换率抑制：>150V/ns
- 瞬态过压抑制
- 过热保护
- 对所有电源轨的UVLO保护
应用
- 高密度工业和消费类电源
- 多级转换器
- 太阳能逆变器
- 工业电机驱动器
- 不间断电源
- 高压电池充电器
相关产品
Texas Instruments 氮化镓 (GaN)
具有高效率、高功率密度和高可靠性等特点，提供端对端功率转换。
相关开发工具
Texas Instruments LMG3411EVM-029半桥子卡
用作子卡，作为大型定制系统的一部分或搭配LMG34XX-BB-EVM使用。
框图
发布日期: 2018-09-28
| 更新日期: 2023-05-31