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IMZA65R048M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R048M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R048M1HXKS
Price: 66.76 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IMZA65R048M1HXKS

制造商编号：

IMZA65R048M1HXKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

IMZA65R048M1HXKSA1 数据表 (PDF)

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¥-.--

总价:

¥-.--

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定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥75.4388	¥75.44
	¥44.4203	¥444.20
	¥43.5954	¥4,359.54
	¥40.2054	¥19,298.59

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说明：

碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	39 A
Rds On-漏源导通电阻:	64 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.7 V
Qg-栅极电荷:	33 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	CN
扩散国家:	Not Available
原产国:	AT
下降时间:	13 ns
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	12.6 ns
系列:	IMZA65R048
工厂包装数量:	240
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	17 ns
典型接通延迟时间:	14.8 ns
零件号别名:	IMZA65R048M1H SP005398433
单位重量:	6 g

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数据表

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Models

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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