IXFN26N100P

Name: IXYS IXFN26N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN26N100P
Price: 341.55 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXFN26N100P

制造商编号：

IXFN26N100P

制造商：

IXYS

说明：

分立半导体模块 26 Amps 1000V 0.39 Rds

数据表:

IXFN26N100P 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	分立半导体模块
RoHS:
技术:	Si
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	IXFN26N100
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	50 ns
Id-连续漏极电流:	23 A
Pd-功率耗散:	595 W
产品类型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻:	390 mOhms
上升时间:	45 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete Semiconductor Modules
商标名:	HiPerFET
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	72 ns
典型接通延迟时间:	45 ns
Vds-漏源极击穿电压:	1 kV
单位重量:	30 g

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ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET功率MOSFET

IXYS Polar™ HiPerFET功率MOSFET将Polar标准产品系列的优势与更快的体二极管结合在一起。体二极管拥有更短的反向恢复时间 (t_rr)，使其可用于移相桥电机控制和不间断电源应用 (UPS)。该系列MOSFET拥有极低的R_DS(on)、低R_thJC、低Q_g和增强的dv/dt能力。