IXFN32N60

IXYS
747-IXFN32N60
IXFN32N60

制造商:

说明:
分立半导体模块 32 Amps 600V

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
最少: 10   倍数: 10
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥249.391 ¥2,493.91
¥220.9376 ¥22,093.76
25,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  
Si
- 20 V, + 20 V
Screw Mount
SOT-227-4
- 55 C
+ 150 C
IXFN32N60
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: Not Available
下降时间: 60 ns
Id-连续漏极电流: 32 A
Pd-功率耗散: 520 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete Semiconductor Modules
商标名: HyperFET
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
单位重量: 30 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99