IXFN38N80Q2

IXYS
747-IXFN38N80Q2
IXFN38N80Q2

制造商：

说明：
分立半导体模块 38 Amps 800V 0.22 Rds

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
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库存：
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IXYS
产品种类: 分立半导体模块
RoHS:  
Si
- 30 V, + 30 V
Screw Mount
SOT-227-4
- 55 C
+ 150 C
IXFN38N80
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 12 ns
Id-连续漏极电流: 38 A
Pd-功率耗散: 735 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 220 mOhms
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete Semiconductor Modules
商标名: HiPerFET
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
单位重量: 30 g
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

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