STGWA40M120DF3

STMicroelectronics
511-STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STGWA40M120DF3详情

库存量: 158

库存：
158 可立即发货
生产周期：
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥48.7143 ¥48.71
¥27.7076 ¥277.08
¥22.9955 ¥2,299.55
¥21.6734 ¥13,004.04

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
80 A
468 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 38 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

意法半导体 S 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

意法半导体 S 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是一款高速 IGBT，采用了先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构。这些 S 系列 1200V IGBT 经过专门设计，最大限度提高了低频工业系统效率。正 VCE(sat) 温度系数和紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。
了解更多

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。