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CSD13383F4

Name: Texas Instruments CSD13383F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13383F4
Price: 3.44 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

595-CSD13383F4

制造商编号：

CSD13383F4

制造商：

Texas Instruments

说明：

MOSFET CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T

数据表:

CSD13383F4 数据表

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥3.8872	¥3.89
	¥2.486	¥24.86
	¥1.582	¥158.20
	¥1.1526	¥576.30
	¥0.99214	¥992.14
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥0.75258	¥2,257.74
	¥0.68704	¥4,122.24
	¥0.60342	¥5,430.78

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

CSD13383F4T

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥11.7407

最小:

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制造商：

Texas Instruments

制造商编号：

CSD13383F4T

说明：

MOSFET 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PICOSTAR-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	12 V
Id-连续漏极电流:	2.9 A
Rds On-漏源导通电阻:	44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	700 mV
Qg-栅极电荷:	2.6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	500 mW
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
组装国:	PH
扩散国家:	CN
原产国:	PH
产品类型:	MOSFETs
系列:	CSD13383F4
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	0.400 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

CSD13383F4 数据表

PCN

SPICE Models

CSD13383F4 PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET可以为相同的阻抗提供二分之一的栅极电荷，以便设计人员能够实现90%的供电效率并使频率加倍。TI NexFET功率MOSFET实现了垂直电流与横向功率MOSFET的结合。该系列器件具有较低的导通电阻，只需极低的栅极电荷，且需要采用行业标准封装外形，这种组合是现有硅平台所无法实现的。TI NexFET功率MOSFET技术可以提高大功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。

FemtoFET 功率 MOSFET

德州仪器 FemtoFET 功率 MOSFET 具有超小占位面积（0402 外壳尺寸），并有超低电阻（与竞争产品相比低 70%）。这些 MOSFET 具有超低的 Qg, Qgd 规格，并有最优的 ESD 额定值。它们采用基板栅格阵列(LGA)封装。这种封装提高了硅含量，使其特别适合空间受限的应用。这些功率 MOSFET 具有低功耗和低开关损耗，提高了轻负载下的性能。这些器件的典型应用有手持设备、移动设备、负载开关、通用开关、电池应用等。
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