Nexperia 最新分立半导体

分离式半导体类型
更改类别视图
已应用过滤器:
制造商 = Nexperia 返回“产品”选项卡，以修改您的当前过滤条件。

Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Nexperia ES1D超快恢复整流器
Nexperia ES1D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、1A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES3D超快恢复整流器
Nexperia ES3D超快恢复整流器
05/07/2025
具有高正向浪涌能力的200V、3A整流器，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia ES2D超快恢复整流器
Nexperia ES2D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、2A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的100V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES1J超快恢复整流器
Nexperia ES1J超快恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、2A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US1J超快恢复整流器
Nexperia US1J超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的600V、1A 整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia MURS160B超快恢复整流器
Nexperia MURS160B超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器。该器件采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia US1M超快恢复整流器
Nexperia US1M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS8M恢复整流器
Nexperia GS8M恢复整流器
04/28/2025
1000V、8A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia FR2M快速恢复整流器
Nexperia FR2M快速恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、2A整流器，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia US3M超快恢复整流器
Nexperia US3M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、3A整流器。该器件采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia GS5MB恢复整流器
Nexperia GS5MB恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、5A整流器，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia GS1M恢复整流器
Nexperia GS1M恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS10M恢复整流器
Nexperia GS10M恢复整流器
04/28/2025
1000V、10A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
04/14/2025
60V和100V MOSFET，专为各种应用中的高效电源管理而设计。
Nexperia PESD1ETH10L车载网络的ESD保护
Nexperia PESD1ETH10L车载网络的ESD保护
04/14/2025
完全符合开放联盟 (OPEN Alliance) IEEE 10BASE-T1s、100BASE-T1和1000BASE-T1标准。
Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET
Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET
04/14/2025
40V、8.0mΩ双向GaN HEMT，采用紧凑型1.7mm x 1.7mm WLCSP封装。
Nexperia 专用功率MOSFET
Nexperia 专用功率MOSFET
01/21/2025
综合成熟的MOSFET专业技术和对广泛的应用的理解，形成不断壮大的产品系列。
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
01/08/2025
在单个器件中提供可靠的线性模式、增强的SOA和低RDS(on) 。
Nexperia BC5xPAS-Q 1A中等功率PNP晶体管
Nexperia BC5xPAS-Q 1A中等功率PNP晶体管
12/30/2024
通过AEC-Q101认证的PNP晶体管，采用超薄的 DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD塑料封装。
查看：93 的 1 - 25

    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    09/09/2025
    逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
    Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD和EOS保护
    Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD和EOS保护
    07/03/2025
    ESD和EOS保护专门为高速以太网线路而设计。
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
    07/03/2025
    常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
    Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
    Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
    07/03/2025
    40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
    Bourns SMF4C和SMF4C-Q TVS二极管
    Bourns SMF4C和SMF4C-Q TVS二极管
    07/03/2025
    保护各种电子设备免受电感负载开关引起的电压瞬变。
    ROHM Semiconductor 超快速恢复二极管
    ROHM Semiconductor 超快速恢复二极管
    07/02/2025
    具有低正向电压和低开关损耗，非常适合用于一般整流应用。
    ROHM Semiconductor 高效率肖特基势垒二极管
    ROHM Semiconductor 高效率肖特基势垒二极管
    07/01/2025
    设计目的是改善低VF 和低IR之间的平衡关系，适用于续流二极管。
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
    07/01/2025
    这些FET采用TOLT、TO247和TOLL封装，使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台。
    ROHM Semiconductor 超低IR肖特基势垒二极管
    ROHM Semiconductor 超低IR肖特基势垒二极管
    06/30/2025
    具有200V重复峰值反向电压、高可靠性和超低反向电流。
    Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
    Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
    06/30/2025
    Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.
    ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
    ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
    06/30/2025
    具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电机驱动器。
    Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD保护二极管
    Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD保护二极管
    06/27/2025
    设计让ESD峰值钳位和 TLP钳位电压都做到最小。
    Semtech uClamp5591P μClamp® TVS二极管
    Semtech uClamp5591P μClamp® TVS二极管
    06/27/2025
    采用大横截面积的结传导大瞬态电流。
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
    06/23/2025
    该产品可在紧凑型5mmx6mm PowerFLAT封装中提供出色的热性能和低RDS(on)。
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    06/23/2025
    专为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。
    onsemi NFAM智能电源模块（IPM）
    onsemi NFAM智能电源模块（IPM）
    06/23/2025
    高度集成的紧凑型解决方案，旨在实现高效可靠的电机控制。
    Littelfuse DFNAK3 TVS二极管
    Littelfuse DFNAK3 TVS二极管
    06/23/2025
    采用紧凑的表面贴装封装，可提供3kA 浪涌电流，并符合IEC 61000-4-5标准。
    ROHM Semiconductor RBx8肖特基势垒二极管
    ROHM Semiconductor RBx8肖特基势垒二极管
    06/18/2025
    具有高可靠性和低IR，采用硅外延平面结构，IO高达1A。
    ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
    ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
    06/16/2025
    具有低导通电阻，非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    06/09/2025
    These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
    onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
    06/09/2025
    采用节省空间的DFN-8封装，具有低RDS(on) 值和快速开关特性。 
    Littelfuse SC1230-01UTG TVS二极管
    Littelfuse SC1230-01UTG TVS二极管
    06/04/2025
    22V、60pF、9A单向离散TVS二极管，提供通用ESD保护。
    ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
    ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
    06/04/2025
    一款紧凑型高性能MOSFET，设计用于低压开关应用。
    Littelfuse SC1122-01ETG TVS二极管
    Littelfuse SC1122-01ETG TVS二极管
    06/04/2025
    22V、60pF、9A单向离散TVS二极管，提供通用ESD保护。
    Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET
    Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET
    06/03/2025
    根据超级结（SJ）原理设计，具有低开关和导通损耗。
    查看：971 的 1 - 25