Nexperia 最新晶体管

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Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
04/14/2025
60V和100V MOSFET，专为各种应用中的高效电源管理而设计。
Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET
Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET
04/14/2025
40V、8.0mΩ双向GaN HEMT，采用紧凑型1.7mm x 1.7mm WLCSP封装。
Nexperia 专用功率MOSFET
Nexperia 专用功率MOSFET
01/21/2025
综合成熟的MOSFET专业技术和对广泛的应用的理解，形成不断壮大的产品系列。
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
01/08/2025
在单个器件中提供可靠的线性模式、增强的SOA和低RDS(on) 。
Nexperia BC5xPAS-Q 1A中等功率PNP晶体管
Nexperia BC5xPAS-Q 1A中等功率PNP晶体管
12/30/2024
通过AEC-Q101认证的PNP晶体管，采用超薄的 DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD塑料封装。
Nexperia GANB4R8-040CBA双向GaN FET
Nexperia GANB4R8-040CBA双向GaN FET
10/01/2024
一款40V、4.8mΩ 双向GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，采用WLCSP封装。
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
08/30/2024
基于沟槽14低阻值分离栅极技术，采用LFPAK56E封装。
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q晶体管
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q晶体管
07/04/2024
具有低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流能力。
Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓（GaN）FET
Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓（GaN）FET
07/02/2024
一款采用VQFN封装的通用150V、3.9mΩ 氮化镓 (GaN) FET。
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
07/01/2024
采用标准7引脚TO-263塑料封装，具有出色的RDS(on) 温度稳定性。
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
06/24/2024
80V、标准电平栅极驱动MOSFET，具有低Qrr，实现更高效率和更低尖峰。
Nexperia NSF0x120L4A0 N 沟道 MOSFET
Nexperia NSF0x120L4A0 N 沟道 MOSFET
04/23/2024
基于碳化硅（SiC）的1200V功率MOSFET，采用成熟的4引脚TO-247塑料封装。
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
04/04/2024
符合AEC-Q101标准的N沟道增强模式场效应晶体管(FET)，采用小型SMD封装。
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
04/04/2024
100V、53mΩ ASFET在紧凑的2mm x 2mm占位面积中集成了增强型SOA。
Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
04/04/2024
通过AEC-Q101认证的小型SMD塑料封装，采用沟槽式MOSFET技术。
Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET
Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET
02/28/2024
设计用于继电器替代、浪涌管理和电池管理应用。
Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET
Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET
02/28/2024
采用节省空间的LFPAK56封装，非常适合无刷直流电机控制应用。 
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET
02/23/2024
设计和测试符合AEC-Q101的要求，具有高性能和高耐用性。
Nexperia GAN039 CCPAK1212封装功率GaN FET
Nexperia GAN039 CCPAK1212封装功率GaN FET
12/20/2023
采用铜夹封装技术，电感/开关损耗低并且具有高可靠性。
Nexperia 1200V SiC MOSFET
Nexperia 1200V SiC MOSFET
11/30/2023
采用3引脚TO-247-3和4引脚TO-247-4封装，用于PCB通孔安装。
Nexperia 采用DFN封装的小信号双极晶体管
Nexperia 采用DFN封装的小信号双极晶体管
11/02/2023
满足对车辆电子功能日益增长的需求。
Nexperia NGWx沟槽式场终止型IGBT
Nexperia NGWx沟槽式场终止型IGBT
08/09/2023
该器件为载流子存储沟槽栅场终止型结构与第三代技术相结合的创新成果。
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    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    09/09/2025
    逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
    Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
    Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
    07/03/2025
    40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
    07/03/2025
    常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
    07/01/2025
    这些FET采用TOLT、TO247和TOLL封装，使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台。
    ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
    ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
    06/30/2025
    具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电机驱动器。
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
    06/23/2025
    该产品可在紧凑型5mmx6mm PowerFLAT封装中提供出色的热性能和低RDS(on)。
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    06/23/2025
    专为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。
    ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
    ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
    06/16/2025
    具有低导通电阻，非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。
    onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
    06/09/2025
    采用节省空间的DFN-8封装，具有低RDS(on) 值和快速开关特性。 
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    06/09/2025
    These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
    ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
    ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
    06/04/2025
    一款紧凑型高性能MOSFET，设计用于低压开关应用。
    Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET
    Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET
    06/03/2025
    根据超级结（SJ）原理设计，具有低开关和导通损耗。
    Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
    Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
    06/03/2025
    Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
    06/03/2025
    汽车级和工业级MOSFET，最大漏极-源极导通电阻高达78mΩ。
    onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块
    onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块
    05/23/2025
    该模块采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全桥和带三氧化二铝 (Al2O3) DBC陶瓷基板的热敏电阻，封装为F1型。
    STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
    STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
    05/22/2025
    采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。
    onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    05/22/2025
    最大76mΩ，在20V最大RDS(ON) 和1700V漏极至源极电压时。
    Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
    Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
    05/15/2025
    170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
    Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
    Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
    05/15/2025
    Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
    Wolfspeed YM六单元碳化硅电源模块
    Wolfspeed YM六单元碳化硅电源模块
    05/14/2025
    汽车级模块，设计用于实现无缝设计集成和耐用性。
    onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
    onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
    05/13/2025
    设计用于处理大电流，这对于直流-直流电源转换级至关重要。
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    05/06/2025
    Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
    Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管
    Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管
    05/02/2025
    设计工作在高频下具有出色的效率，使超快速开关成为可能。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET
    04/30/2025
    提供优良栅极电荷 x RDS(on) 积 (FOM) 和低导通电阻RDS(on) 。
    onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
    onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
    04/28/2025
    具有低QRR 、RDS(on) 和QG，可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。
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