STMicroelectronics 最新分立半导体

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STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
05/22/2025
采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。
STMicroelectronics ESDAxWY汽车单向ESD保护
STMicroelectronics ESDAxWY汽车单向ESD保护
01/10/2025
设计用于在恶劣环境中保护敏感电子产品的TVS。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
12/24/2024
在半桥拓扑中集成了2个IGBT和二极管。
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双向单线TVS二极管
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双向单线TVS二极管
10/14/2024
该器件设计用于保护数据线或其他I/O端口免受静电放电瞬变的影响。
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超快桥接模块
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超快桥接模块
10/08/2024
适合用于集成到车辆或充电站中的充电器应用。
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
设计采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。
STMicroelectronics ESDA5WY车用单向ESD保护
STMicroelectronics ESDA5WY车用单向ESD保护
09/10/2024
汽车用单向瞬态电压抑制器 (TVS)，设计用于恶劣环境。
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR汽车用高压整流器
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR汽车用高压整流器
08/09/2024
高品质设计，具有始终如一的可重现特性和内在坚固性。
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
07/22/2024
该模块的击穿电压为800V，齐纳保护，100%雪崩测试，非常适用于反激式转换器和LED灯。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
07/03/2024
1200V、40A、低损耗、低热阻，采用TO-247长引线封装。
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
12/01/2023
符合AEC-Q101标准，提供30V至150V的全面封装解决方案
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
10/31/2023
设计用于先进的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
10/19/2023
设计用于混合动力和电动汽车的直流/直流转换器级。
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
10/01/2023
采用MDmesh K6技术，利用了20年的超级结技术经验。
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
08/18/2023
汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET具有650V阻断电压。
STMicroelectronics STPSTxH100/Y trench功率肖特基二极管
STMicroelectronics STPSTxH100/Y trench功率肖特基二极管
06/29/2023
符合高开关频率的高效要求。
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
05/08/2023
该器件采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟道栅极结构。
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT
03/24/2023
具有两个IGBT和二极管，采用紧凑、坚固的表面贴装封装。
STMicroelectronics SM50TxAY 5000W瞬态电压抑制器
STMicroelectronics SM50TxAY 5000W瞬态电压抑制器
03/17/2023
设计用于保护灵敏的汽车电路，避免遭受ISO 7637-2标准中定义的浪涌。
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
01/25/2023
高电压N通道功率MOSFET，具有齐纳保护功能以及100%通过雪崩测试。
STMicroelectronics STTH30RQ06L2超快高压整流器
STMicroelectronics STTH30RQ06L2超快高压整流器
01/09/2023
采用HU3PAK封装，是一款采用STM 600V技术的600V、30A器件。
STMicroelectronics X040敏感栅极SCR和Z040三端双向可控硅
STMicroelectronics X040敏感栅极SCR和Z040三端双向可控硅
11/08/2022
750V、4A器件，非常适合用于家用电器、电动工具和工业系统。
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
10/19/2022
采用终极MDmesh K6技术设计的高压N沟道功率MOSFET。
STMicroelectronics T5035H-8PI 50A三端双向可控硅
STMicroelectronics T5035H-8PI 50A三端双向可控硅
09/21/2022
采用TOP3绝缘封装，设计用于在800V电压和150°C温度下工作。
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    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    09/09/2025
    逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
    Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
    Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
    07/03/2025
    40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
    07/03/2025
    常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
    Bourns SMF4C和SMF4C-Q TVS二极管
    Bourns SMF4C和SMF4C-Q TVS二极管
    07/03/2025
    保护各种电子设备免受电感负载开关引起的电压瞬变。
    Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD和EOS保护
    Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD和EOS保护
    07/03/2025
    ESD和EOS保护专门为高速以太网线路而设计。
    ROHM Semiconductor 超快速恢复二极管
    ROHM Semiconductor 超快速恢复二极管
    07/02/2025
    具有低正向电压和低开关损耗，非常适合用于一般整流应用。
    ROHM Semiconductor 高效率肖特基势垒二极管
    ROHM Semiconductor 高效率肖特基势垒二极管
    07/01/2025
    设计目的是改善低VF 和低IR之间的平衡关系，适用于续流二极管。
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
    07/01/2025
    这些FET采用TOLT、TO247和TOLL封装，使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台。
    ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
    ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
    06/30/2025
    具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电机驱动器。
    ROHM Semiconductor 超低IR肖特基势垒二极管
    ROHM Semiconductor 超低IR肖特基势垒二极管
    06/30/2025
    具有200V重复峰值反向电压、高可靠性和超低反向电流。
    Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
    Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
    06/30/2025
    Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.
    Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD保护二极管
    Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD保护二极管
    06/27/2025
    设计让ESD峰值钳位和 TLP钳位电压都做到最小。
    Semtech uClamp5591P μClamp® TVS二极管
    Semtech uClamp5591P μClamp® TVS二极管
    06/27/2025
    采用大横截面积的结传导大瞬态电流。
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
    06/23/2025
    该产品可在紧凑型5mmx6mm PowerFLAT封装中提供出色的热性能和低RDS(on)。
    Littelfuse DFNAK3 TVS二极管
    Littelfuse DFNAK3 TVS二极管
    06/23/2025
    采用紧凑的表面贴装封装，可提供3kA 浪涌电流，并符合IEC 61000-4-5标准。
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    06/23/2025
    专为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。
    onsemi NFAM智能电源模块（IPM）
    onsemi NFAM智能电源模块（IPM）
    06/23/2025
    高度集成的紧凑型解决方案，旨在实现高效可靠的电机控制。
    ROHM Semiconductor RBx8肖特基势垒二极管
    ROHM Semiconductor RBx8肖特基势垒二极管
    06/18/2025
    具有高可靠性和低IR，采用硅外延平面结构，IO高达1A。
    ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
    ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
    06/16/2025
    具有低导通电阻，非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。
    onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
    06/09/2025
    采用节省空间的DFN-8封装，具有低RDS(on) 值和快速开关特性。 
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    06/09/2025
    These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
    Littelfuse SC1122-01ETG TVS二极管
    Littelfuse SC1122-01ETG TVS二极管
    06/04/2025
    22V、60pF、9A单向离散TVS二极管，提供通用ESD保护。
    ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
    ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
    06/04/2025
    一款紧凑型高性能MOSFET，设计用于低压开关应用。
    Littelfuse SC1230-01UTG TVS二极管
    Littelfuse SC1230-01UTG TVS二极管
    06/04/2025
    22V、60pF、9A单向离散TVS二极管，提供通用ESD保护。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
    06/03/2025
    汽车级和工业级MOSFET，最大漏极-源极导通电阻高达78mΩ。
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