射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 627
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP05H9S500P/OMP-780/REELDP 118库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 50 V 120 mOhms 423 MHz to 443 MHz 25.2 dB 500 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL 125库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL 465库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL 254库存量
100在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL 750库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10G/TO270/REEL 727库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10/TO270/REEL 125库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL 106库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 21 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL 724库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 21 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL 125库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 22 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S100G/TO270/REEL 383库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

N-Channel LDMOS 65 V 143 mOhms 1.5 GHz 16 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S100/TO270/REEL 325库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

N-Channel LDMOS 65 V 143 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30/TO270/REEL 413库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

N-Channel LDMOS 65 V 370 mOhms 2 GHz 19.3 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP 113库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 95 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 15 dB 250 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP 1,001库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 500

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 100 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT SOT1483-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP 64库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

Dual N-Channel LDMOS 48 V 250 mOhms, 370 mOhms 600 MHz to 960 MHz 18.6 dB 350 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP 57库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

Dual N-Channel LDMOS 48 V 174 mOhms, 250 mOhms 600 MHz to 960 MHz 19 dB 500 W - 40 C + 125 C SMD/SMT OMP-780-6F-1-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY 85库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 300 mOhms 2.7 GHz to 3.5 GHz 12 dB 50 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 300 mOhms 2.7 GHz to 3.5 GHz 12 dB 50 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray
Microchip Technology ARF461BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source 46库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 6.5 A 1 kV 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications 20库存量
最低: 1
倍数: 1

GaAs 26 GHz 19 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications 10库存量
最低: 1
倍数: 1

GaAs 18 GHz 11 dB 26.5 dBm + 150 C Die Bulk

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 21库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A 10库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 10 A 500 V 150 MHz 15 dB 900 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C 10库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 10 A 500 V 150 MHz 15 dB 900 W - 55 C + 175 C Screw Mount