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Toshiba MOSFET模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	最大工作温度	Pd-功率耗散	封装
	MOSFET模块 SiC MOSFET Module, 2200V, 250A MG250YD2YMS3(DAE) Toshiba 受限供货情况新产品	制造商零件编号 MG250YD2YMS3(DAE) Mouser 零件编号 757-MG250YD2YMS3DAE 新产品	Toshiba	MOSFET模块 SiC MOSFET Module, 2200V, 250A 了解更多关于Toshiba mg250yd2yms3 dual sic mosfet module 的信息	数据表			受限供货情况			SiC	Screw Mount	N-Channel	1 Channel	2.2 kV	250 A	- 10 V, 25 V	5.5 V	+ 150 C	2 kW	Tray
	MOSFET模块 SiC MOSFET Module, 1700V, 250A MG250V2YMS3(DAE) Toshiba 受限供货情况新产品	制造商零件编号 MG250V2YMS3(DAE) Mouser 零件编号 757-MG250V2YMS3DAE 新产品	Toshiba	MOSFET模块 SiC MOSFET Module, 1700V, 250A	数据表			受限供货情况			SiC	Screw Mount	N-Channel	1 Channel	1.7 kV	250 A	- 10 V, 25 V	5.5 V	+ 150 C	1.35 kW	Tray
	MOSFET模块 SiC MOSFET Module, 1200V, 400A MG400Q2YMS3(DAE) Toshiba 受限供货情况新产品	制造商零件编号 MG400Q2YMS3(DAE) Mouser 零件编号 757-MG400Q2YMS3DAE 新产品	Toshiba	MOSFET模块 SiC MOSFET Module, 1200V, 400A	数据表			受限供货情况			SiC	Screw Mount	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	400 A	- 10 V, 25 V	5.6 V	+ 150 C	1.35 kW	Tray
	MOSFET模块 SiC MOSFET Module, 1700V, 400A MG400V2YMS3(DAE) Toshiba 受限供货情况新产品	制造商零件编号 MG400V2YMS3(DAE) Mouser 零件编号 757-MG400V2YMS3DAE 新产品	Toshiba	MOSFET模块 SiC MOSFET Module, 1700V, 400A	数据表			受限供货情况			SiC	Screw Mount	N-Channel	1 Channel	1.7 kV	400 A	- 10 V, 25 V	5.5 V	+ 150 C	2 kW	Tray
	MOSFET模块 SiC MOSFET Module, 1200 V, 600 A MG600Q2YMS3(DAE) Toshiba 受限供货情况新产品	制造商零件编号 MG600Q2YMS3(DAE) Mouser 零件编号 757-MG600Q2YMS3DAE 新产品	Toshiba	MOSFET模块 SiC MOSFET Module, 1200 V, 600 A	数据表			受限供货情况			SiC	Screw Mount	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	600 A	- 10 V, 25 V	5.6 V	+ 150 C	2 kW	Tray