297 IGBT 模块

结果: 2
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 650 V, 100 A booster IGBT module
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC IGBT Modules Dual 650 V 1.35 V 40 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT Module
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray