IXFN38N100 系列 MOSFET模块

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
IXYS MOSFET模块 38 Amps 1000V
数据表
291库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 38 A 210 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 1 kW IXFN38N100 Tube
IXYS MOSFET模块 38 Amps 1000V 0.25 Rds
数据表
无库存交货期 53 周
最低： 300
倍数： 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 38 A 250 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 890 W IXFN38N100 Tube