HyperFET 分立半导体模块

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
Vgs - 栅极-源极电压
安装风格
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 分立半导体模块 100 Amps 200V 0.023 Rds
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

Si - 20 V, + 20 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS 分立半导体模块 170 Amps 100V
数据表
无库存
最低： 150
倍数： 10

Si - 20 V, + 20 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS 分立半导体模块 32 Amps 600V
数据表
无库存
最低： 10
倍数： 10

Si - 20 V, + 20 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN32N60 Tube