5102 MOSFET

结果: 4
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Vishay MOSFET SOT669 100V 110A N-CH MOSFET
数据表
3,316库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET SOT669 100V 126A N-CH MOSFET
数据表
208库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si 100 V 8.9 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SIR5102DP-T1-BE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling
数据表
1,642库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape