CSD13302W 系列 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Texas Instruments MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302WT 4,378库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 710
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-4 N-Channel 1 Channel 12 V 1.6 A 17.1 mOhms - 10 V, 10 V 700 mV 7.8 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302W 无库存交货期 6 周
最低: 1
倍数: 1
: 250

Si SMD/SMT DSBGA-4 N-Channel 1 Channel 12 V 1.6 A 17.1 mOhms - 10 V, 10 V 700 mV 7.8 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel