CSD23202W10 系列 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Texas Instruments MOSFET 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10
数据表
1,884库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 250

Si SMD/SMT DSBGA-4 P-Channel 1 Channel 12 V 2.2 A 92 mOhms - 6 V, 6 V 600 mV 2.9 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T
数据表
3,682库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-4 P-Channel 1 Channel 12 V 2.2 A 92 mOhms - 6 V, 6 V 900 mV 3.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel