IXFK64N60 系列 MOSFET

结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET 600V 64A
数据表
370库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
1,604库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
数据表
无库存交货期 46 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 190 nC 1.25 kW HiPerFET Tube