IXFL38N100 系列 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET 38 Amps 1000V 0.21 Rds
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 29 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q2-Class HiperFET 1000, 22A
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 22 A 280 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube